Be-doped low-temperature grown GaAs for ultrafast optoelectronic devices and applications

Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A

“…В работах [8,9] показано, что структуры LT-GaAs : Be могут быть ис-пользованы в оптоэлектронных устройствах терагерце-вого диапазона частот, причем такие устройства имеют лучшие параметры по сравнению с устройствами на базе нелегированного LT-GaAs. Однако из-за высокой токсичности Ве его использование при молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в последнее время снижается и мало распространено в промышленном производстве, поскольку требует дополнительных мер безопасности.…”

Progress in Compact Room Temperature THz Radiation Sources

“…To this end, the lower lasing state sub-band may be engineered with an energy gap above the relaxation state which corresponds to the longitudinaloptical (LO) phonon energy of the layer material, which initiates so-called 'resonant phonon (RP) scattering' processes ( Figure 2). Because of the reliance on phonon interaction, it is inherently difficult to operate a THz QCL efficiently without considerable device cooling (the upper temperature limit is currently 178K) and this is the subject of ongoing RP QCL research by groups such as Hu & Williams [59]. Interestingly, QCL superlattice device structures may be subband-engineered to exhibit both lasing gain and very large X (2) susceptibility [60][61][62][63][64][65], and Belkin et al have developed a QCL concept which includes two QC active sections which generate slightly offset wavelengths of IR radiation in a material which is also highly optically nonlinear and may generate a THz signal via DFG within the QCL itself [59].…”

Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A

“…Для увеличения концентрации заряженных дефектов As + Ga материал LT-GaAs легируют акцепторной примесью (как правило, бериллием) [4]. В работах [3,5,6] показано, что при определенных уровнях легирования (от 5 · 10 17 до 2 · 10 19 см −3 ) Be : LT-GaAs структуры могут быть использованы в оптоэлектронных устрой-ствах терагерцевого диапазона частот, причем такие устройства имеют лучшие параметры по сравнению с устройствами на базе нелегированного LT-GaAs. Однако из-за высокой токсичности Ве его использование при молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) требует допол-нительных мер безопасности.…”