Procedure for determining defects in sputtered clusters of ionic crystals

Controlling the Low-temperature Ionic Purification of a Silicon Surface by Electron Spectroscopy

“…A detailed description of the methods of TC spectrometry [28][29][30][31][32] and secondary ion mass spectrometry (SIMS) is provided in [32][33]. The TC spectra of silicon crystals were obtained by irradiation with electrons at an energy of 0-100 eV, a current of ~ 10 − 8 A, a current of Cs + and Cl − of ~ 10 − 6 A, and an energy of 3 keV.…”

Investigation of Angular Spectrum of Scattered Inert Gas Ions from the InGaP (001) Surface

“…These difficulties interfere with analytical calculations, and the best method remains the computer simulation method. From this point of view, studies of the surface and near-surface structures of multicomponent semiconductor thin films using ion scattering spectroscopy and their re-surface use in modern micro-and nanoelectronics [4][5][6][7][8].…”

Морфология и электронные свойства наноразмерных структур Si, созданных на поверхности CaF-=SUB=-2-=/SUB=-

“…В настоящее время наноразмерные структуры, созданные на поверхности полупроводниковых и диэлектрических пленок, имеют большие перспективы при разработке уникальных приборов микро-, опто-и наноэлектроники. При этом особый интерес представляют нанопленки типа Si/CaF 2 , Si/CoSi 2 , Si/Si, LiF 2 /Si, которые могут использоваться в приборных структурах для формирования омических и барьерных контактов, в оптоэлектронных устройствах, схемах памяти, транзисторах с проницаемой и металлической базами [1][2][3][4]. Расчеты показывают, что такие транзисторы могут иметь граничную частоту усиления f a ≥ 100 GHz [2].…”

“…Нанопленочные структуры в основном выращиваются методами молекулярно-лучевой и твердофазной эпитаксии. При этом сплошные однородные пленки Si на поверхности CoSi 2 и CaF 2 формируются начиная с толщины d ≥ 5.0−6.0 nm [4]. Известно [5][6][7], что при уменьшении размеров наноструктур до величины, соизмеримой с длиной свободного пробега электронов или де-Бройлевской длиной волны, происходит резкое изменение их физических (электрических, оптических и др.)…”

“…На кривых 1 и 2 интенсивность света, проходящего через участок CaF 2 , не покрытых атомами Si не учитывалась. По отношению интенсивностей проходящего света нанофаза и нанопленки можно оценить степень покрытия поверхности по формуле [4]: Ширина запрещенной зоны для фазы с d ≈ 25−30 nm составляет ∼ 1.4 eV, что значительно больше, чем E g нанопленки Si. Можно полагать, что в случае Si квантоворазмерные эффекты проявляются при малых размерах нанофаз (d = 25−30 nm и h ≤ 1.0−1.5 nm).…”