2015
DOI: 10.7868/s0207352815040083
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Энергетические спектры нанопленок SiO2, созданных на поверхности Si ионной имплантацией

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
2

Year Published

2017
2017
2023
2023

Publication Types

Select...
5

Relationship

0
5

Authors

Journals

citations
Cited by 5 publications
(2 citation statements)
references
References 0 publications
0
0
0
2
Order By: Relevance
“…Ионная бом-бардировка, температурный прогрев, лазерный отжиг и основные исследования с использованием методов вто-ричной и фотоэлектронной спектроскопии (ВЭС и ФЭС) проводились в одном и том же экспериментальном при-боре в условиях сверхвысокого вакуума (P ≈ 10 −7 Pa). Элементный и химический составы определялись ме-тодом оже-электронной спектроскопии, а электронная структура -методами ультрафиолетовой фотоэлек-тронной спектроскопии (УФЭС) и путем снятия энер-гетической зависимости интенсивности I проходящего света через образец [8]. Кристаллическая структура и морфология поверхности контролировались исполь-зованием стандартных установок ЭMP-2 и SUPRA-40.…”
Section: методика проведения экспериментовunclassified
“…Ионная бом-бардировка, температурный прогрев, лазерный отжиг и основные исследования с использованием методов вто-ричной и фотоэлектронной спектроскопии (ВЭС и ФЭС) проводились в одном и том же экспериментальном при-боре в условиях сверхвысокого вакуума (P ≈ 10 −7 Pa). Элементный и химический составы определялись ме-тодом оже-электронной спектроскопии, а электронная структура -методами ультрафиолетовой фотоэлек-тронной спектроскопии (УФЭС) и путем снятия энер-гетической зависимости интенсивности I проходящего света через образец [8]. Кристаллическая структура и морфология поверхности контролировались исполь-зованием стандартных установок ЭMP-2 и SUPRA-40.…”
Section: методика проведения экспериментовunclassified
“…Для создания наноразмерных структур на поверхности полупроводников и диэлектрических пленок часто используется метод ионной бомбардировки [11][12][13][14][15][16][17]. В [13] Таким образом, методом ионной бомбардировки в сочетании с отжигом впервые получены нанофазы и слои Si на различных глубинах приповерхностного слоя аморфных пленок и монокристаллических образцов SiO 2 .…”
unclassified